日前，我院刘锡锋老师在国际电路与系统领域顶级期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs（TCAS II）上发表学术论文，论文题目为“A 2.5 ppm/℃ voltage reference combining traditional BGR and ZTC MOSFET high-order curvature compensation”。该论文采用了MOS器件α功率模型分析，结合ZTC工作特性，设计并实现了一款用于高精度语音通讯的高阶曲率补偿带隙基准芯片。

TCAS II是IEEE旗下学术期刊，是电路与系统、集成电路设计领域业界公认的顶级期刊，当前影响因子为2.814。论文第一作者和通讯作者单位均为江苏信息职业技术学院/江苏省专用集成电路设计重点实验室（无锡）。

近年来，我院微电子专业在学院正确领导和有力支持下，一直坚持学术创新和工程实践共同发展，研究方向面向区域经济重大需求和国际前沿。在全体成员的共同努力下，微电子及相关专业不断产出学术成果。该论文的发表实现了专用集成电路设计重点实验室（无锡）国际性高水平论文的突破，表明电信学院在科学研究方面的重大成果正在逐步显现。（来稿：电信学院）

论文访问地址：https://ieeexplore.ieee.org/document/9209100