据8月25日官网报道，SK海力士宣布已开发并开始量产321层2Tb QLC NAND闪存产品。与现有产品相比，新产品容量翻倍至2Tb，并通过将内部可独立运行的平面架构从四平面扩展为六平面，提升了并行处理能力，从而缓解了大容量导致的性能下降问题。新产品不仅具备高容量，其数据传输速度、写入性能和读取性能分别提高了一倍、56%和18%，同时数据写入能效也提高了23%以上，特别适用于低功耗的AI数据中心等领域。SK海力士计划首先在PC SSD上应用该321层NAND闪存，随后扩展到数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司将利用其独有的封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，进军AI服务器的超高容量eSSD市场。SK海力士表示，该产品是全球首个完成300层以上QLC NAND闪存开发的，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。

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