比利时微电子研究中心(IMEC)和根特大学的研究人员在300毫米晶圆上交替生长120层硅(Si)和硅锗(SiGe)材料，这是迈向三维DRAM的重要突破。这一过程如同用自然分裂的材料平衡纸牌屋，面临晶格失配的挑战。研究团队通过调整硅锗层的锗含量，添加碳以缓解应力，并保持沉积过程中温度的均匀，解决了这些问题。该工艺采用先进的外延沉积技术，以精确控制每层的厚度、成分和均匀性。 传统的DRAM存储单元是平面布局的，限制了密度，而垂直堆叠（3D）则可在相同空间内容纳更多存储单元，提高存储容量。成功构建120个双层结构表明垂直扩展是可行的，为下一代高密度存储设备铺平了道路。这项技术的影响不仅限于内存芯片，还可以推动3D晶体管、堆叠逻辑器件和量子计算架构的发展。

三星已将3D DRAM列入其发展规划，并设立了专门的研发机构。 总而言之，这一突破基于原子张力的工程顺序，创造出自然界难以产生的结构，有望重塑芯片设计，使其更密集、更快、更可靠。这不仅仅是硅片堆叠，而是一个可能改变内存技术里程碑的成就。